Samsung hari ini mengumumkan bahwa mereka telah mulai memproduksi secara massal DRAM LPDDR4X 10-nanometer-class (1y-nm) generasi ke-2 untuk smartphone premium. Dibandingkan dengan chip memori DRAM LPDDR4X 10nm (1x-nm) 16Gb 10nm generasi pertama yang digunakan pada perangkat seluler unggulan saat ini, chip generasi kedua diharapkan dapat meningkatkan efisiensi dan menurunkan konsumsi daya sebesar 10 persen dengan tetap mempertahankan laju data yang sama sebesar 4.266 megabit per detik (Mb/dtk).
Samsung telah menggabungkan empat chip DRAM LPDDR4X 16Gb kelas 10nm untuk membuat paket DRAM seluler LPDDR4X 8GB yang 20 persen lebih ramping , yang akan membantu OEM smartphone mengurangi ketebalan perangkat genggam mereka lebih jauh. Perusahaan mengatakan akan menawarkan chip yang diproduksi oleh proses baru dalam avatar 4GB, 6GB dan 8GB kepada pelanggannya.
Dalam pernyataan persnya, Senior Vice President of Memory Sales & Marketing Samsung Electronics, Sewon Chun, mengatakan bahwa perangkat dengan chip DRAM seluler 10nm diharapkan akan dirilis pada akhir tahun ini, atau pada awal 2019.
“Munculnya DRAM seluler kelas 10nm akan memungkinkan solusi yang ditingkatkan secara signifikan untuk generasi berikutnya, perangkat seluler unggulan yang pertama kali memasuki pasar akhir tahun ini atau awal tahun 2019. Kami akan terus mengembangkan jajaran DRAM premium kami untuk memimpin segmen memori ‘berkinerja tinggi, berkapasitas tinggi, dan berdaya rendah’ untuk memenuhi permintaan pasar dan memperkuat daya saing bisnis kami”
Sementara itu, rilis lebih lanjut menyatakan bahwa perusahaan berencana untuk memperluas jajaran DRAM premium berbasis 1 tahun lebih dari 70 persen, dan menjelang akhir, telah mulai mengoperasikan lini baru di Pyeongtaek untuk memenuhi permintaan.
